"중국 CXMT 쇼크 무섭네"…삼전·닉스 이어 미국 반도체주 급락

[이데일리 신수정 기자] 미국 메모리 반도체주가 중국발 기술 추격 우려에 급락했다. 중국 최대 D램 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 메모리 기술 개발에 진전을 이뤘다고 발표하면서 글로벌 반도체 시장의 경쟁 심화 가능성이 부각됐다. 삼성전자와 SK하이닉스도 주가가 동반 하락한 가운데 중국의 메모리 기술 자립이 국내 반도체 기업의 수익성에 미칠 영향에도 관심이 쏠린다.

이 사진은 2026년 7월 27일 베이징 외곽에 위치한 창신 메모리 테크놀로지(CXMT) 공장의 전경을 담고 있다. 중국을 대표하는 메모리 칩 제조업체인 이 회사는 2026년 7월 27일 상하이 증시에 상장된 첫날 주가가 470% 급등하며, 잠시나마 대형 은행인 중국공상은행(ICBC)을 제치고 중국 본토에서 시가총액 1위 기업 자리를 차지했다. (사진: 페드로 파르도 / AFP)

12일(현지시간) 뉴욕증시에서 미국 메모리 반도체 기업 마이크론테크놀로지는 전 거래일 대비 3.88% 하락한 989.04달러에 거래를 마쳤다. 필라델피아반도체지수는 2.67% 떨어진 1만2236.92를 기록하며 3주 만에 최저 수준으로 내려앉았다. 샌디스크와 씨게이트테크놀로지, 웨스턴디지털 등 메모리·저장장치 관련 기업들의 주가도 약세를 보였다.

반도체주를 짓누른 요인 중 하나는 중국 CXMT의 기술 개발 소식이다. 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 차오칸위 CXMT 사장은 최근 상하이에서 열린 산업 행사에서 차세대 D램 구조인 ‘4F²(4F스퀘어)’ 기술 개발에 중요한 진전을 이뤘다고 밝혔다. 올해 말까지 이 기술을 적용한 서버용 DDR5 메모리 제품을 선보이겠다는 계획도 발표했다.

4F²는 반도체에서 데이터를 저장하는 메모리 셀의 면적을 줄이는 기술이다. 현재 상용 D램에 주로 적용되는 6F² 구조보다 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있어 같은 공간에 더 많은 데이터를 저장하는 데 유리하다. CXMT는 자체 개발한 수직형 트랜지스터 구조를 통해 전류 누설 문제를 개선하고 저장 밀도를 높였다고 설명했다.

주목할 점은 삼성전자와 SK하이닉스도 같은 기술을 개발하고 있다는 사실이다. SK하이닉스는 지난해 4F² 기술 개발 로드맵을 공개했다. 삼성전자도 2028년을 목표로 해당 구조를 적용한 차세대 D램 양산을 추진하는 것으로 알려졌다. CXMT가 계획대로 연내 제품을 출시한다면 한국 기업들과의 기술 경쟁이 한층 치열해질 수 있다.

국내 반도체주도 이미 영향을 받고 있다. 12일 국내 증시에서 삼성전자는 4.39%, SK하이닉스는 4.52% 각각 하락했다. 중국 업체의 기술 추격 소식에 고금리 부담과 인공지능(AI) 관련주에 대한 차익실현 움직임 등이 맞물린 결과로 풀이된다.

다만 CXMT의 기술 발표가 실제 양산 경쟁력 확보를 의미하는 것은 아니다. 회사는 차세대 제품의 구체적인 성능과 생산 수율, 공급 규모 등을 공개하지 않았다. 새로운 기술을 개발하는 것과 안정적인 대량생산 체제를 갖추는 것은 별개의 문제다. 이번에 개발 중인 서버용 DDR5 메모리 역시 삼성전자와 SK하이닉스가 주력하는 고대역폭메모리(HBM)와는 다른 제품이다.

그럼에도 시장은 중국의 기술 추격은 국내 메모리 업계의 중장기 변수로 떠올랐다고 평가했다. CXMT는 지난달 5세대 D램 제조 플랫폼의 양산에 돌입했다고 발표하는 등 생산 역량을 확대하고 있다. 향후 서버용 D램 시장에서도 공급을 늘릴 경우 삼성전자와 SK하이닉스의 가격 경쟁력과 수익성에 부담을 줄 가능성이 있다. 다만 실제 영향은 CXMT의 양산 능력과 고객사 확보 여부에 따라 달라질 전망이다.