인텔 파운드리·ASML, 고개구율 EUV 양산 가속화…100만장↑ 적용

인텔 Fab 25에 위치한 ASML의 EXE 5000 하이 NA EUV 장비. (사진=인텔)

[이데일리 한광범 기자] 인텔 파운드리와 반도체 노광장비 기업 ASML이 차세대 하이 NA(High Numerical Aperture, 고개구율) 극자외선(EUV) 리소그래피 기술의 양산 적용 및 도입을 가속화한다.

인텔 파운드리와 ASML은 8일(현지시간) 미국 캘리포니아 몬터레이에서 열린 ‘SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 차세대 극자외선 공정’ 컨퍼런스에서 하이 NA EUV 기술의 주요 기술 진전 상황을 공개했다.

하이 NA 기술은 현재 인텔 파운드리의 대량 양산 공정에 지속적으로 적용되고 있다. 초기 장비 인증 및 R&D 분야는 물론, 인텔 코어 Ultra 시리즈 3 프로세서(코드명 ‘팬서 레이크’)의 일부 레이어 양산을 포함해 현재까지 100만장 이상의 웨이퍼 공정에 적용을 완료했다. 오버레이(중첩 정밀도), 스루풋(처리량), 가동률 모두 인텔 파운드리의 기대치를 충족하고 있는 것으로 나타났다.

특히 인텔 18A 공정 일부 레이어에 하이 NA를 적용해 제조한 제품들은 기존 NXE 플랫폼(NA 0.33 사양 EUV)으로 패턴을 형성한 동일 레이어 대비 상회하거나 대등한 수준의 성능을 지속적으로 보이고 있다.

고객들은 6인치 마스크 내에서 층별 배치(floor-planning)를 계획하거나, 인텔 파운드리의 스티칭(stitching) 기능 및 공정 설계 키트(PDK) 솔루션을 활용해 기존 업계 마스크 규격 그대로 하이 NA의 이점을 활용할 수 있다.

아울러 인텔 파운드리는 지난 3년 이상 마스크 생태계 통합을 위한 대형 마스크 포맷 이니셔티브를 주도해 왔다. ASML, 마스크 제조사, 자동화 공급업체, EDA 파트너, 소재 공급업체 등과 협력해 향후 하이 NA 확장에 필요한 표준, 인프라 및 기술 발전을 지원 중이다.

크리스토프 푸케 ASML 사장 겸 CEO는 “인텔 파운드리는 2024년 최초 상용 EXE 시스템 도입부터 최신 세대 장비 도입 검증, 하이 NA로 제조된 첫 양산형 로직 제품 출하에 이르기까지 산업 전반의 하이 NA 도입을 이끈 핵심 리더”라며 “6인치 마스크로 현재 가치를 창출하는 혁신과 6x12인치 마스크로의 진화를 오랫동안 지원해 온 점을 높이 평가한다”고 밝혔다.

나가 찬드라세카란 인텔 수석 부사장 겸 인텔 파운드리 공동 총괄 매니저는 “복잡해지는 AI 제품을 개발하는 기업에는 양산에 즉시 적용 가능하고 사용하기 쉬운 제조 혁신이 필요하다”며 “스티칭 기술 적용 여부와 관계없이 6인치 마스크 상에서 하이 NA를 단기적으로 지원하는 것과 6x12인치 마스크로 전환하는 데 집중하고 있으며, 이를 위해 ASML 및 업계 전체와 협력해 나갈 것”이라고 밝혔다.

양사는 이번 컨퍼런스에서 설계자가 현재 표준 6인치 마스크로 하이 NA EUV를 사용할 수 있게 해주는 ‘레티클 스티칭’ 기술 최신 정보를 공유한다. ASML의 얀 반 슈트와 인텔 파운드리의 킴벌리 피어스가 각각 하프 필드 스티칭 지원을 위한 요구사항과 양산을 위한 스티칭을 주제로 발표를 진행할 예정이다.