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12일 중국 현지 매체 등에 따르면 차오칸위 CXMT 총재는 최근 상하이에서 열린 제4회 집적회로 및 칩렛 콘퍼런스에서 4F² 구조를 적용한 서버용 DDR5 모듈(RDIMM)을 연말까지 내놓겠다고 밝혔다.
4F²은 D램에서 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀의 면적을 줄이는 기술이다. 반도체 제조공정에서 구현할 수 있는 최소 선폭을 ‘F’라고 할 때 셀 하나의 면적을 F 제곱의 4배로 설계한다는 의미다.
현재 D램 업계의 주류인 6F² 구조보다 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있다. 같은 크기의 칩에 더 많은 셀을 배치할 수 있어 메모리 집적도를 높이는 데 유리하다.
CXMT는 자체 개발한 수직서라운드게이트(VSG) 트랜지스터를 활용해 4F² 구조를 구현했다고 설명했다. 게이트가 수직 채널을 둘러싸는 방식으로 누설전류를 줄이는 동시에 전류 제어 성능과 집적도를 높였다는 것이다. CXMT는 4F² 구조와 관련한 특허도 다수 보유하고 있다고 밝혔다.
첫 적용 제품은 서버용 DDR5 RDIMM이다. RDIMM은 서버가 대량의 데이터를 안정적으로 처리할 수 있도록 지원하는 메모리 모듈이다. 소비자용 제품보다 오류 보정과 장시간 작동 안정성 등 높은 수준의 신뢰성이 요구된다.
CXMT는 그동안 가전과 모바일 기기에 들어가는 D램을 중심으로 사업을 전개해왔다. 이번 제품 출시를 계기로 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론이 주도해온 서버용 D램 시장까지 제품군을 확대할 계획이다.
삼성전자와 SK하이닉스도 D램 미세화의 한계를 극복하기 위해 4F² 또는 유사한 차세대 셀 구조를 개발하고 있다. SK하이닉스는 지난해 4F² 기술 로드맵을 공개했으며 삼성전자도 10나노미터(㎚) 이하 차세대 D램 공정에 해당 구조를 적용하는 방안을 추진하는 것으로 알려졌다.
CXMT는 지난 7월 기업공개(IPO)를 통해 최대 666억1000만위안(약 13조2000억원)을 조달한 뒤 첨단 D램 투자를 확대하고 있다. 지난 8월에는 차세대 모바일 D램인 LPDDR6 양산을 공식화했고, 9월에는 5세대 D램 공정 양산에 돌입했다고 발표했다.
