“삼전닉스도 일찌감치 개발 중”…中 4F² 반도체 위협, 실체는

[이데일리 최오현 기자] 중국 메모리반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 서버용 D램 기술인 ‘4F²(포에프스퀘어)’ 적용을 예고한 가운데 삼성전자도 해당 기술을 개발하고 있다고 밝혔다.

17일 서울 강남구 코엑스에서 열린 제 28회 반도체대전에서 송재혁 삼성전자 CTO와 이준석 개혁신당의원이 삼성전자 부스를 둘러보고 있다 (사진=최오현 기자)

송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO) 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘제28회 반도체대전’(SEDEX 2026)에서 ‘삼성전자도 4F² 기술을 개발하고 있느냐’는 질문에 “그렇다”고 답했다.

이어 기술 개발이 잘 준비되고 있느냐는 질문에는 “열심히 하고있다”고 말했다. 구체적인 개발 진척 상황이나 양산 계획에 대해서는 언급하지 않았다.

4F²는 D램 셀 하나가 차지하는 면적을 나타내는 단위로, 기존 6F² 구조보다 셀 면적을 약 3분의 1 줄일 수 있는 차세대 기술이다. 같은 면적에 더 많은 셀을 집적할 수 있어 생산성과 원가 경쟁력을 높일 수 있다는 평가다.

앞서 중국 관영매체에 따르면 차오칸위 CXMT 최고경영자(CEO)는 지난 9~10일 중국 상하이에서 열린 제4회 직접회로 및 칩렛 콘퍼런스에서 4F² 아키텍처(구조) 구현을 위한 핵심적인 진전을 이뤄냈다며 연내 해당기술을 적용한 서버용 DDR5 모듈(RDIMM) 제품을 출시하겠다고 밝혔다.

이를 계기로 중국 메모리반도체 기업의 기술 추격이 빨라질 수 있다는 우려가 제기되면서 지난 13일 삼성전자와 SK하이닉스 주가는 각각 7.39%, 10.09% 급락했다.

삼성전자와 SK하이닉스도 일찌감치 4F²기술을 연구해왔다. 이미 지난해 SK하이닉스는 4F² 기술 개발 로드맵을 공개한 바 있다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 지난해 6월 ‘IEEE VLSI 심포지엄 2025’ 기조연설에서 “10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F스퀘어 VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다”고 밝혔다.

미국의 대중국 수출 규제로 CXMT가 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비를 확보하지 못한 상황에서 CXMT가 찾은 돌파구 기술인 셈이다. 특히 업계에서는 반도체 산업의 생명인 수율을 높이기 어려울 것으로 보고 있다. CXMT의 K반도체 기술 추격에 대한 우려가 과장됐다는 평가도 나온다.