용인 Y2에 35.2조·청주 M17에 19.1조 투자 Y2서 HBM 등 차세대 D램 생산…2029년 가동 M17은 AI용 eSSD 수요 대응…2028년 클린룸 오픈 D램·낸드 수요 2030년까지 연평균 19% 성장 전망
[이데일리 송재민 기자] SK하이닉스가 인공지능(AI) 시대의 메모리 수요 증가에 대응하기 위해 용인과 청주에 총 54조원을 투자해 신규 반도체 공장(팹)을 짓는다. 용인에는 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 D램 생산기지를, 청주에는 AI 데이터센터용 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 수요에 대응할 낸드 생산기지를 구축한다.
SK하이닉스가 청주에 건설 예정인 M17 팹 조감도 (사진 우측에 위치한 주황색 지붕 건물이 M17). (사진=SK하이닉스)
SK하이닉스는 7일 이사회를 열고 경기 용인 반도체 클러스터의 두 번째 팹인 ‘Y2’와 충북 청주의 신규 팹 ‘M17’ 건설에 각각 35조2000억원과 19조1000억원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다.
이번 투자는 지난 6월 발표한 중장기 투자 전략의 후속 조치다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 600조원, 청주 생산기지 확대에 100조원을 투입할 계획이다. 현재 용인에서는 첫 번째 팹인 Y1을 건설하고 있다.
시장조사업체 옴디아에 따르면 글로벌 D램과 낸드 수요는 지난해부터 2030년까지 각각 연평균 19% 성장할 전망이다. SK하이닉스는 AI가 학습에서 추론과 에이전틱·피지컬 AI로 확산하면서 메모리가 AI 성능을 좌우하는 핵심 인프라로 자리 잡고 있다고 판단했다.
(사진=SK하이닉스)
용인 Y2는 총 4기의 팹이 들어서는 용인 반도체 클러스터의 두 번째 생산시설이다. 연면적 34만1000평 규모로 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 번째 클린룸을 열 계획이다. HBM을 비롯한 차세대 D램을 생산하며 투자는 2031년 10월까지 순차적으로 집행한다.
SK하이닉스는 당초 2045년으로 예정했던 용인 반도체 클러스터 완공 시점을 2033년으로 12년 앞당겨 총 4기의 팹 건설을 마칠 계획이다. Y1은 내년 2월 첫 클린룸 개방을 목표로 공사가 진행 중이다. Y2 가동에 필요한 1단계 전력·용수 인프라도 현재 99%의 공정률을 기록하고 있다.
청주 M17은 연면적 20만6000평 규모의 낸드 생산시설로 내년 2월 착공한다. 첫 번째 클린룸은 2028년 12월 열 예정이며 투자는 2031년 4월까지 진행한다. 기존 낸드 생산시설인 M11·M12·M15와 연계할 수 있고 부지와 전력·용수 인프라가 갖춰져 있어 빠른 건설이 가능하다는 설명이다.
용인 반도체 클러스터 조감도. (사진=SK하이닉스)
AI 서비스 확산으로 eSSD 수요가 늘어난 데다 AI 추론 과정에서 이전 연산 결과를 저장하는 ‘KV 캐시’ 수요도 증가하면서 낸드의 활용 범위가 넓어지고 있다. SK하이닉스는 공장을 먼저 건설하되 클린룸 증설과 장비 투입은 고객 수요에 맞춰 단계적으로 진행할 방침이다.
SK하이닉스 관계자는 “이번 투자는 시장의 성장 속도에 맞춰 기회를 놓치지 않기 위한 결정”이라며 “선제적인 생산 기반 확보를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하겠다”고 말했다.
